GB/T1409介电常数及介质损耗测试仪-低频GDAT-S

一、产品定位与标准符合性

GB/T1409介电常数及介质损耗测试仪-低频GDAT-S是一款面向固体绝缘材料电气性能表征的测试系统。该设备的工作频率范围为20赫兹至2兆赫，采用高频阻抗分析仪配合平板电容器测试装置完成相对介电常数（ε）与介质损耗角正切（D或tanδ）的测量任务。

在绝缘材料检测领域，GB/T 1409-2006《测量电气绝缘材料在工频、音频、高频（包括米波波长在内）下电容率和介质损耗因数的推荐方法》是指导测试方法的核心文件。该标准修改采用IEC 60250:1969，覆盖15赫兹到300兆赫频率范围内固体、液体、易熔材料电容率与介质损耗因数的测定。与此同时，美标ASTM D150《固体电绝缘材料的交流损耗特性和介电常数测试》以及IEC 60250同为行业内引用频次较高的规范。GDAT-S的设计与性能指标可满足上述三项标准中关于20赫兹至2兆赫区间内的测试要求，适用于对电瓷、装置瓷、电容器陶瓷、覆铜板基材、硅橡胶、环氧浇注料、薄膜材料等固体绝缘介质进行宽频介电谱扫描。

此处所称"低频GDAT-S"，是相对于同系列高频型号（如GDAT-A覆盖至70兆赫、100兆赫乃至160兆赫）而言。在实际材料测试中，20赫兹至2兆赫恰好跨越了工频衍生段、音频段、中频段直至短波低频段，对应着偶极子转向极化、界面极化、离子弛豫等多种介电响应机制的活跃窗口，是材料研发与来料检验中使用频次较高的一个频率区间。

整套系统由高频阻抗分析仪主机、平板电容器测试装置以及可选配的高频标准介质样品三部分组成。阻抗分析仪承担信号激励、响应采集与参数运算功能；平板电容器负责夹持试样并提供保护电极结构；标准介质样品则用于定期核查测试装置的重复性与准确性，构成完整的质量追溯链条。

二、介电常数与介质损耗的基础概念

在交变电场作用下，电介质的电气行为可用两个基本参量描述：相对介电常数ε和介质损耗角正切tanδ（文中亦标注为D）。

相对介电常数反映材料在单位电场中储存电荷的能力，数值上等于以该材料为介质时的电容与以真空为介质时的电容之比。不同极化机制对ε的贡献随频率变化：电子极化响应时间在10^-14至10^-15秒量级，几乎在所有测试频率下均能跟上电场变化；离子极化响应时间在10^-12至10^-13秒量级，在兆赫级以下基本无滞后；而偶极子转向极化依赖于分子链段运动，响应时间可从10^-2秒延伸到10^-9秒甚至更长，因此在千赫至兆赫区间内常出现ε随频率升高而下降的现象。界面极化（麦克斯韦-瓦格纳极化）则发生在多相材料界面处，弛豫时间更长，往往在工频至千赫段形成显著的损耗峰。

介质损耗角正切表示材料在交变电场中将电能转化为热能的比例。损耗来源主要包括电导损耗、偶极子弛豫损耗、共振损耗和界面损耗。对于优良绝缘体，tanδ通常在10^-4至10^-2量级。若某一批次材料的tanδ在相同测试条件下明显高于历史数据，往往提示吸潮、填料分散不均、杂质引入或热老化降解等潜在问题。

因此，在不同频率点测定ε和tanδ，不是简单地获取两个"合格数字"，而是通过介电谱的形态来判断材料内部的极化机制、缺陷状态与工艺稳定性。GDAT-S提供的20赫兹至2兆赫连续扫频能力，正是为了将这段频率窗口内的介电响应细节充分展现出来。

三、GDAT-S系统构成与测试流程

GDAT-S系统的核心由两部分硬件构成：高频阻抗分析仪与平板电容器测试装置。两者通过同轴电缆连接，构成一个可定量读取电容值与损耗值的测量回路。

测试的基本逻辑遵循替代法的思想：首先在不放置试样的情况下，记录平板电容器的空载电容读数Cp0与损耗值D0；随后将已制备好的固体试样放入平板电容器两极片之间，使试样成为电极间介质的一部分，此时测得加载电容读数Cp1与损耗值D1。根据两次电容的变化量、试样厚度以及电极有效面积，结合材料对应的计算公式，即可求得相对介电常数ε。而介质损耗角正切D（tanδ）则由加载前后的损耗值差异经换算得出。

在实际设备中，高频阻抗分析仪内部已完成上述换算过程，操作者可直接读取ε和D的最终数值。但为了保证数据的可追溯性，建议同步记录每次测量的原始Cp值、D值、测试频率、信号电平、环境温度与湿度等信息。

平板电容器测试装置内嵌保护电极结构。保护电极环绕在主电极外围，通过独立的电气连接引至仪器的屏蔽端。其作用是在测量过程中迫使保护环与主电极等电位，从而抑制试样表面漏电流对体积电阻测量的干扰，确保测得的电容变化量主要来自试样本体而非边缘效应。对于表面电阻较低或吸湿性较强的材料，保护电极的引入可显著降低测试误差。

此外，系统支持选购高频标准介质样品作为量值溯源工具。这些标准样品由人工蓝宝石、石英玻璃、氧化铝陶瓷、环氧板等材料制成，直径为50毫米，厚度在1至2毫米之间。在计量检定体系中，此类样品被用作传递标准，以验证测试装置在长期使用过程中的重复性与准确性是否保持在可接受范围内。

四、高频阻抗分析仪硬件特性

GDAT-S所集成的高频阻抗分析仪具备多种测试功能，其基本精度达到0.05%。测试频率上限为2兆赫，频率分辨率可达10毫赫兹。这一频率分辨率意味着在扫频过程中能够以极小的步距逐点逼近试样的极化弛豫特征频率，对于需要精细描绘损耗峰位置的研发工作具有实用价值。

分析仪配备4.3英寸TFT液晶显示屏，支持中英文操作界面切换。屏幕可同时呈现多项参数，配合微电脑处理器实现快速运算与自动量程切换。设备体积紧凑，便于在实验台或标准机柜中安装使用。

在功能层面，该分析仪集成了变压器参数测试与平衡测试能力。变压器测试功能可用于评估绕组间的漏感、互感及分布电容等参数；平衡测试功能则通过对称激励方式降低共模干扰，提升小信号条件下的测量信噪比。这两项附加功能使GDAT-S不仅能完成介电常数与介质损耗的专项测试，还可作为通用阻抗分析平台服务于其他高频元件的参数评估。

仪器内置自动电平调整（ALC）电路，可在测试过程中维持设定的激励电压或电流幅值恒定，避免因电缆损耗、接触阻抗变化或试样阻抗改变而导致实际施加在试样上的信号电平漂移。同时，电压和电流测试信号电平监视功能允许操作者实时查看实际施加的信号强度，确保测试条件符合标准要求。

内部自带直流偏置源，电压模式覆盖-5伏至+5伏，电流模式覆盖-100毫安至+100毫安（内阻50欧）。对于需要模拟实际偏压工作条件的电容器介质材料评估，这一功能可直接在主机内完成，无需外接额外电源。若需更大偏置电流，还可通过专用接口外接大电流直流偏置源。

五、20赫兹至2兆赫频率扫描能力解析

GDAT-S的测试频率范围为20赫兹至2兆赫，步进分辨率10毫赫兹。在这一频率区间内，材料会表现出多种与频率相关的介电现象：

在20赫兹至1千赫兹段，离子电导和界面极化的贡献占主导。对于含有填料的复合材料（如炭黑填充橡胶、氧化铝填充环氧树脂），此频段内的tanδ变化可反映填料-基体界面的电荷积聚情况。

在1千赫兹至100千赫兹段，偶极子转向极化开始显现。极性高分子材料（如聚氯乙烯、尼龙、聚酰亚胺）在这一区间常出现介电常数随频率升高而下降、损耗角出现一个或多个弛豫峰的特征。通过在该区间密集取点，可以定位弛豫峰的中心频率，进而估算活化能等动力学参数。

在100千赫兹至2兆赫兹段，测试进入高频段。此时大部分慢极化机制已无法跟上电场变化，测得的ε趋于光学介电常数附近，而tanδ主要反映残余的偶极子滞后损耗和电子极化共振吸收。对于低损耗高频基板材料，此频段的tanδ数值直接影响其在射频电路中的插入损耗与发热水平。

设备支持10点列表扫描测试功能。用户可以预先设定10个特定的频率点，仪器将按照列表顺序自动完成各点的测量并记录结果。这一功能特别适合需要定期重复相同频率组合的比对试验或产线抽检任务。例如，可将10个点均匀分布在1千赫兹、10千赫兹、100千赫兹、500千赫兹、1兆赫兹、1.5兆赫兹、2兆赫兹等关键位置，实现一键式多频点介电谱采集。

六、电容与损耗因数测量分辨率

介电常数测试仪中，平板电容器在放入试样前后的电容变化量往往非常微小。以一块厚度为1毫米、介电常数为2.2的薄膜为例，放入Φ50毫米电极系统中引起的电容增量仅在皮法量级。若要从中分辨出微小的批次差异或厚度偏差，电容测量的分辨率必须足够高。

GDAT-S的高频阻抗分析仪对电容值Cp的分辨率达到0.00001皮法（即10阿托法量级），并以六位数显方式呈现损耗因数D值。这种分辨率水平使得仪器能够灵敏地捕捉到低介电常数薄膜、超薄涂层或低损耗陶瓷在加载前后产生的微小电容扰动，从而获得可信的ε和D计算结果。

在显示范围方面，电容测量上限可达9.99999法拉，下限为0.0001皮法；损耗因数D的显示范围为0.0001至9.9999。这一宽动态范围使同一台设备既能测量接近理想绝缘体的低损耗材料，也能测量具有一定导电性的半导体陶瓷或高填充导电聚合物，只需根据材料特性选择合适的测试频率与信号电平即可。

根据原厂给出的ε和D测量精度指标，在10千赫兹测试频率下，介电常数ε的测量精度为±2%，介质损耗角D的测量精度为±5%±0.0001。该指标为设备在特定校准条件下的性能声明，实际使用中应结合材料自身的均匀性、试样制备的一致性和环境条件综合评估测量不确定度。

七、介电常数测试装置（平板电容器）结构

GDAT-S配套的测量夹具是一套精密介电常数测试装置，内含保护电极系统。该装置的核心部件为平板电容器，由上下两块平行圆形极板构成。极板间距通过微分头调节，微分头分辨率为10微米。这一机械分辨率确保了试样厚度测量的准确性，而厚度是介电常数计算中不可或缺的几何参数。

装置的最高耐压值为±42伏峰值（交流叠加直流）。这意味着在测试过程中，施加在试样两端的峰值电压不应超过此限值，否则可能导致试样发生局部放电或击穿，损坏测试装置或影响测量安全。

电缆长度设置为1米。在高频测试中，连接电缆的分布参数会对测量结果产生一定影响。固定电缆长度并在校准过程中将其纳入补偿范围，有助于减小系统误差。

测试装置自身的最高使用频率为30兆赫。虽然阻抗分析仪的主机频率上限为2兆赫，但夹具设计预留了更高的带宽余量，这为未来扩展更高频率的测试模块或与其他分析仪配合使用提供了硬件基础。

针对不同形态和表面状态的试样，该测试装置支持三种电极配置方式：

接触电极法适用于表面平整、硬度较高的刚性固体材料，如陶瓷片、环氧板、云母板等。试样两面与电极直接接触，必要时可在接触面垫入薄层导电箔以确保电气接触良好。

薄膜电极法适用于质地较软的薄膜材料或弹性体薄片，如聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、硅橡胶片等。通过特殊的薄膜电极结构，可在不损伤试样的前提下实现均匀的压力接触，避免因局部压强过大导致薄膜厚度发生变化。

非接触法则用于表面不平整或不宜直接加压的试样。该方法利用电容耦合原理，在不与试样表面直接接触的情况下完成介电参数测量，避免了接触压力对试样几何尺寸的影响，也消除了因接触不良导致的测量偏差。

这三种方法的并存，使GDAT-S能够适应从硬质陶瓷到柔软薄膜、从光滑表面到粗糙表面的多种试样类型，拓宽了设备的适用范围。

试样尺寸方面，测试装置可容纳直径在10毫米至56毫米之间的圆形试样，厚度上限为10毫米。对于直径小于电极有效面积的试样，在计算介电常数时需按实际电极覆盖面积修正；对于厚度超过10毫米的试样，则需考虑边缘电场分布不均匀带来的误差，或更换更大间距的夹具。

八、信号电平、输出阻抗与ALC功能

在介电测试中，施加在试样上的信号电平大小会影响测量结果。对于非线性介质（如铁电陶瓷在居里温度附近、某些聚合物在玻璃化转变区），过强的电场可能诱发额外的极化分量，使测得的ε和tanδ偏离弱场本征值。因此，标准方法通常建议在较低电场强度下进行测试。

GDAT-S允许操作者根据测试频率分段设置信号电平：在频率不超过1兆赫时，信号电平可在10毫伏至5伏之间调节；在频率高于1兆赫时，信号电平范围为10毫伏至1伏。电平精度在1兆赫以下为±(10%+10毫伏)，在1兆赫以上为±(20%+10毫伏)。这样的分段设计兼顾了低频段对较大动态范围的需求和高频段对电缆衰减与功率限制的考量。

输出阻抗提供10欧、30欧、50欧、100欧四种选项。不同的输出阻抗会影响信号源与试样之间的匹配状态，进而影响实际加载到试样上的电压幅值。在变压器参数测试或平衡测试中，灵活选择输出阻抗有助于优化信噪比和测量稳定性。

自动电平控制（ALC）功能开启后，无论试样阻抗如何变化，仪器都会自动调整内部增益，使施加在试样两端的电压或流过试样的电流维持在设定值附近。这一功能在扫频测试中尤为重要——随着频率变化，试样的等效阻抗会发生改变，若无ALC，实际信号电平将在频带内剧烈波动，导致不同频率点的测量条件不一致，影响介电谱的可比性。

此外，V、I测试信号电平监视功能可实时显示当前的电压有效值、电流有效值等参数，帮助操作者确认测试条件是否满足预期要求。

九、直流偏置与列表扫描测试

许多电介质材料在实际应用中并非处于零偏压状态。例如，高压电容器中的介质薄膜在工作时承受持续的直流电场；电力电缆绝缘在直流耐压试验后也存在残余偏压。为了评估偏压条件对介电性能的影响，GDAT-S内置了直流偏置源。

电压模式下，偏置范围覆盖-5伏至+5伏，步进1毫伏，精度为±(10%+10毫伏)。电流模式下，偏置范围覆盖-100毫安至+100毫安（内阻50欧），步进20微安，精度为±(10%+0.2毫安)。这一内置偏置源足以应对多数实验室级别的偏压介电测试需求。对于需要更高偏置电流的场合，设备还提供了外接大电流直流偏置源的接口。

列表扫描测试功能允许预设10个不同的测试频率点，仪器将按顺序逐一完成测量。每个测试点可独立设置信号电平和直流偏置条件。该功能特别适合以下场景：需要按照某一行业标准规定的特定频率点出具报告；对同一材料在已知的特征频率附近进行密集采样；在生产线上对每批次产品执行固定的多频点快速筛查。

通过合理设置列表扫描参数，操作者可以在数十秒内完成从20赫兹到2兆赫范围内多个关键频点的全自动测量，大幅提升测试效率。

十、校准功能与量程控制

为了确保长期使用的测量可靠性，GDAT-S提供了完善的校准功能。开路/短路点频清零和扫频清零可以消除测试夹具和连接电缆的寄生电容、寄生电感以及残余损耗对测量结果的影响。负载校准则可进一步补偿测试端口到试样之间的传输线路效应。

校准过程通常需要配合使用开路器、短路器和负载标准件。在完成校准后，仪器会将补偿参数存储在内部存储器中。设备可保存20组仪器设定值，这意味着不同种类的试样（如陶瓷、薄膜、橡胶）可各自拥有一套独立的测试参数配置和校准状态，切换时无需重新手动输入所有设置。

量程方式支持自动与保持两种模式。自动量程下，仪器会根据试样的阻抗大小自动选择最合适的测量范围，以获得最佳的测量分辨率；保持量程则用于需要固定某个量程以消除量程切换带来的跳变影响的特殊场合。

等效方式提供串联和并联两种模型。对于低损耗、高阻抗的试样，并联模型通常更为适用；对于高损耗、低阻抗的试样，串联模型可能给出更合理的拟合结果。在实际操作中，可根据试样类型和频率区间选择对应的等效方式，并通过对比两种模型的结果来评估测量的一致性。

触发方式包括内部触发、手动触发、外部触发和总线触发。内部触发适用于连续自动测量；手动触发适合单次精细测量；外部触发和总线触发则为自动化产线集成和远程控制提供了接口支持。

十一、接口配置与数据管理

GDAT-S在接口方面提供了丰富的选择，以满足不同应用场景下的数据交互需求。RS232C串口可用于连接上位机或老旧控制系统；USB接口分为设备端（支持USBTMC和USBCDC协议）和主机端（支持FAT16和FAT32文件系统），前者用于与计算机通信，后者可直接连接U盘进行数据存储；LAN接口支持LXI Class C标准，便于接入实验室局域网实现远程操控和数据共享；HANDLER接口用于连接自动分选机或机械臂系统；GPIB接口（选件）则兼容传统的IEEE-488总线设备。

比较器功能提供10档分选及计数。用户可以为ε和D设定上下限阈值，仪器在每次测量后会自动判定结果是否落入合格区间，并通过接口输出判定信号。计数功能可统计合格品与不合格品的数量，为生产过程的质量管控提供即时反馈。

测量数据可直接保存到U盘，文件格式兼容常见的数据处理软件。内部存储器可保存最近20组仪器设定值，确保断电后参数不丢失。这些功能共同构成了一个从数据采集、判定、存储到导出的完整工作流，减少了人工记录可能引入的差错。

十二、试样制备与测试注意事项

尽管GDAT-S在操作层面实现了高度自动化，但试样的制备质量仍然是决定测量结果可信度的关键因素。以下从几个方面说明需要注意的事项。

试样几何尺寸：对于圆形片状试样，直径应在10毫米至56毫米之间，厚度不超过10毫米。厚度应尽量均匀一致，同一片试样不同位置的厚度差建议控制在微分头分辨率可辨识的范围之内。对于表面不平整的试样，非接触法可以在一定程度上规避厚度不均带来的影响，但仍需注意试样底面与电极平台的平行度。

表面清洁：试样表面应无灰尘、油污、汗渍或其他污染物。对于吸湿性材料，建议在干燥环境中存放并在取出后尽快完成测试，或在测试前进行烘干处理。表面残留的水分不仅会改变试样表面的导电状态，还可能在电极与试样之间形成水膜，引入额外的并联导电路径。

电极接触：采用接触电极法时，应确保试样两面与电极之间贴合紧密且无可见气泡。对于极薄的薄膜试样，过大的夹持力可能导致薄膜被拉伸变薄，从而使测得的电容值偏高、计算出的介电常数偏大。因此，建议在正式测试前先确定合适的夹持力度，并在同一批次试样的测试中保持一致。

环境控制：介电测试对环境温度和相对湿度的变化较为敏感。建议在环境温度23±2摄氏度、相对湿度50±5%的标准实验室条件下进行测试。若实际条件偏离此范围，应在测试报告中如实记录当时的温湿度数据，以便数据使用者进行评估。

安全防护：测试过程中应避免手指直接接触带电电极部分。在更换试样或调整夹具前，应先关闭信号输出并将电容器放电，以防残余电荷造成电击或损坏设备。

十三、高频标准介质样品与量值溯源

在计量检定体系中，高频标准介质样品承担着量值传递与测试装置核查的功能。GDAT-S可选购的标准介质样品套装包含多种已知介电特性的材料，每种材料加工成直径50毫米、厚度1至2毫米的圆片。

人工蓝宝石具有极低的介质损耗和稳定的介电常数，常用于验证测试装置在高频段的本底损耗水平。石英玻璃同样具备极低的tanδ，且介电常数在较宽频率范围内几乎不变，适合作为基准参考。氧化铝陶瓷的介电常数较高（通常在9至10之间），可用于核查测试装置对高ε材料的测量能力。以其低介电常数（约2.0至2.1）和低损耗著称，是验证低ε材料测试精度的常用介质。环氧板则代表了一类实际应用中大量使用的复合材料，其介电常数和损耗介于上述几种材料之间，适合作为日常核查的中等参考。

通过定期使用这些标准样品进行测试，可以监控GDAT-S系统在不同时间段内的测量偏差趋势。如果发现某一种标准样品的测量结果与证书给定值之间的偏差持续超出允许范围，则提示需要对设备进行重新校准或检查夹具是否存在磨损、污染等问题。

十四、适用材料与行业参考

GDAT-S的测试能力覆盖了从低损耗到较高损耗、从低介电常数到高介电常数的宽广材料谱系。以下列举若干典型材料类别及其对应的测试关注点：

电瓷与装置瓷：这类材料通常用于高压绝缘子、套管等电力设备部件。在20赫兹至2兆赫范围内测试其介电常数和损耗，可以帮助判断瓷体配方中玻璃相含量、晶粒尺寸以及烧结致密化程度对电气性能的影响。

电容器陶瓷：钛酸钡基陶瓷、钛酸锶基陶瓷等用于制造多层陶瓷电容器（MLCC）的介质材料，其介电常数可达数千甚至上万。GDAT-S的宽动态范围和大尺寸电极适配能力，使其能够胜任这类高ε材料的测试需求。

覆铜板与高频基板：FR-4、聚酰亚胺、液晶聚合物（LCP）、复合材料等印制电路板基材，在5G通信、汽车雷达、卫星载荷等领域有着大量应用。在这些材料的研发过程中，需要在多个频率点测定介电常数和损耗角正切，以评估信号传输过程中的延迟与衰减特性。

硅橡胶与EPDM：这两种橡胶材料广泛用于电缆附件（如冷缩管、终端头）和绝缘子伞裙。它们的介电性能受填料种类（如氢氧化铝、二氧化硅）、硫化体系、吸湿状态等因素影响较大。通过在不同频率下测定tanδ，可以间接评估材料的老化程度和界面极化强度。

薄膜电容器介质：聚丙烯（BOPP）、聚酯（PET）、等薄膜材料在新能源逆变器、电动汽车驱动系统中大量用作直流支撑电容器的介质。GDAT-S的薄膜电极法和非接触法为这类柔薄材料的测试提供了便利手段。

纳米复合材料：在高分子基体中添加纳米级氧化铝、氮化硼、石墨烯等填料，旨在改善导热性或机械强度的同时保持一定的绝缘性能。这类材料的介电谱中常出现因界面极化引起的低频损耗上升，需要通过多频点测试来全面评估。

十五、GDAT-S性能参数单列

信号源与频率特性

工作频率范围：20Hz~2MHz数字合成

频率精度：±0.02%

频率分辨率：10mHz步进

电容与损耗测量能力

电容测量范围：0.00001pF~9.99999F六位数显

电容测量基本误差：±0.05%

损耗因素D值范围：0.00001~9.99999六位数显

介电常数与介质损耗专项性能

固体绝缘材料测试频率：20Hz~2MHz的ε和D变化的测试

ε测量范围：1~105

D测量范围：0.1~0.00005

ε和D测量精度（10kHz）：ε：±2%，D：±5%±0.0001

介电常数测量范围可达：1~105

阻抗分析基本参数

测试参数：C, L, R, Z, Y, X, B, G, D, Q, θ, DCR

基本准确度：0.1%

显示范围：

L：0.0001μH~9.9999kH

C：0.0001pF~9.9999F

R, X, Z, DCR：0.0001Ω~99.999MΩ

Y, B, G：0.0001nS~99.999S

D：0.0001~9.9999

Q：0.0001~99999

θ：-179.99°~179.99°

测量速度

快速：200次/秒（f>30kHz），100次/秒（f>1kHz）

中速：25次/秒

慢速：5次/秒

信号电平设置

测试信号电平（f≤1MHz）：10mV~5V，±(10%+10mV)

测试信号电平（f>1MHz）：10mV~1V，±(20%+10mV)

输出阻抗：10Ω, 30Ω, 50Ω, 100Ω

校准与等效方式

校准功能：开路/短路点频、扫频清零，负载校准

等效方式：串联方式，并联方式

量程方式：自动，保持

显示方式：直读，△，△%

触发方式：内部，手动，外部，总线

直流偏置源

内部直流偏置源（电压模式）：-5V~+5V，±(10%+10mV)，1mV步进

内部直流偏置源（电流模式，内阻50Ω）：-100mA~+100mA，±(10%+0.2mA)，20μA步进

比较器与存储

比较器功能：10档分选及计数功能

存储器：可保存20组仪器设定值

显示器与接口

显示器：320×240点阵图形LCD显示

USB DEVICE：支持USBTMC和USBCDC

USB HOST：支持FAT16和FAT32

LAN：支持LXI Class C

RS232C：具备

HANDLER：具备

GPIB：选件

介电常数测试装置（含保护电极）

微分头分辨率：10μm

最高耐压：±42Vp（AC+DC）

电缆长度设置：1m

最高使用频率：30MHz

试样适配尺寸：直径φ10~56mm，厚度<10mm

电极方法：接触电极法、薄膜电极法、非接触法

高频介质样品（选购件）

材料种类：人工蓝宝石、石英玻璃、氧化铝陶瓷、环氧板

样品规格：Φ50mm，厚1~2mm

用途：保证测试装置的重复性和准确性