通过中商114 
低压P沟道MOS管 2301的管脚图：
低压P沟道MOS管 2301的特点：
VDS=-20V
ID=-3.3A
RDS(ON)＜80mΩ@VGS=-4.5V
封装：SOT-23
低压P沟道MOS管 2301的应用：
电池保护
负载开关
不间断电源
低压P沟道MOS管 2301的极限值：
(如无特殊说明，TC=25℃)
| 符号 | 参数 | 数值 | 单位 |
| VDS | 漏极-源极电压 | -20 | V |
| VGS | 栅极-源极电压 | ±12 | |
| ID | 漏极电流-连续 TA=25℃ | -3.3 | A |
| 漏极电流-连续 TA=70℃ | -2.6 | ||
| IDM | 漏极电流-脉冲 | -13 | |
| PD | 总耗散功率 TA=25℃ | 1.4 | W |
| RθJA | 结到环境的热阻 | 125 | ℃/W |
| TSTG | 存储温度 | -55~150 | ℃ |
| TJ | 工作结温 | -55~150 |
低压P沟道MOS管 2301的电特性：
(如无特殊说明，TJ=25℃)
| 符号 | 参数 | MIN值 | TYP值 | MAX值 | 单位 |
| BVDSS | 漏极-源极击穿电压 | -20 | -22 | V | |
| RDS(ON) | 静态漏源导通电阻 VGS=-4.5V,ID=-3A | 55 | 80 | mΩ | |
静态漏源导通电阻 VGS=-2.5V,ID=-2A | 75 | 100 | |||
| VGS(th) | 栅极开启电压 | -0.5 | -0.7 | -1.2 | V |
| IDSS | 零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,TJ=25℃ | -1 | uA | ||
零栅压漏极电流 VDS=-20V,VGS=0V,TJ=55℃ | -5 | ||||
| IGSS | 栅极漏电流 | ±100 | nA | ||
| gfs | 正向跨导 | 12.2 | S | ||
| Qg | 栅极电荷 | 10.1 | nC | ||
| Qgs | 栅源电荷密度 | 1.21 | |||
| Qgd | 栅漏电荷密度 | 2.46 | |||
| Ciss | 输入电容 | 677 | pF | ||
| Coss | 输出电容 | 82 | |||
| Crss | 反向传输电容 | 73 | |||
| td(on) | 开启延迟时间 | 5.6 | ns | ||
| tr | 开启上升时间 | 32.2 | |||
| td(off) | 关断延迟时间 | 45.6 | |||
| tf | 开启下降时间 | 29.2 |
冀公网安备13010402002588