GaNmos功率器件CV测试机iv+cv测试仪

普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们详询一八一四零六六三四七六；

SPA-6100型GaNmos功率器件CV测试机iv+cv测试仪是武汉普赛斯自主研发、精益打造的一款半导体电学特性测试系统，具有高精度、宽测量范围、快速灵活、兼容性强等优势。产品可以同时支持DC电流-电压(I-V)、电容-电压(C-V)以及高流高压下脉冲式I-V特性的测试，旨在帮助加快前沿材料研究、半导体芯片器件设计以及先进工艺的开发，具有桌越的测量效率与可靠性。

基于模块化的体系结构设计，SPA-6100半导体参数分析仪可以帮助用户根据测试需要，灵活选配测量单元进行升级。产品支持Z高1200V电压、100A大电流、1pA小电流分辨率的测量，同时检测10kHz至1MHz范围内的多频AC电容测量。SPA-6100半导体参数分析仪搭载普赛斯自主开发的专用半导体参数测试软件,支持交互式手动操作或结合探针台的自动操作,能够从测量设置、执行、结果分析到数据管理的整个过程，实现高效和可重复的器件表征;也可与高低温箱、温控模块等搭配使用，满足高低温测试需求。

产品特点：

30μV-1200V,1pA-100A宽量程测试能力；

测量精度高,全量程下可达0.03%精度；

内置标准器件测试程序，直接调用测试简便；

自动实时参数提取，数据绘图、分析函数；

在CV和IV测量之间快速切换而无需重新布线；
提供灵活的夹具定制方案，兼容性强；

免费提供上位机软件及SCPI指令集；

典型应用：

纳米、柔性等材料特性分析；

二极管；

MOSFET、BJT、晶体管、IGBT；

第三代半导体材料/器件；

有机OFET器件；

LED、OLED、光电器件；

半导体电阻式等传感器；

EEL、VCSEL、PD、APD等激光二极管；

电阻率系数和霍尔效应测量；

太阳能电池；

非易失性存储设备；

失效分析；

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