半导体器件I-V特性参数SMU源表

半导体分立器件是组成集成电路的基础，包含大量的双端口或三端口器件，如二极管，晶体管，场效应管等。 直流 I-V    测试则是表征微电子器件、工艺及材料特性的基石。通常使用 I-V 特性分析，或 I-V曲线，来决定器件的基本参数。微电子器件种类繁多，引脚数量和待测参数各不相同，除此以外，新材料和新器件对测试设备提出了更高的要求，要求测试设备具备更高的低电流测试能力，且能够支持各种功率范围的器件。分立器件I-V 特性测试的主要目的是通过实验，帮助工程师提取半导体器件的基本 I-V特性参数，并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。

数字源表作为电学测量的常用仪器，在高校和研究所的相关实验室内几乎都能看到，源表集多表合一、配上专业软件即可实现各种定制测量，使用非常广泛。

作为数字源表生产厂家，普赛斯仪表自主研发的高精度数字源表，填补国产空白，集电压、电流输入输出及测量等多种功能，S系列Z大输出电压达300V，Z小测试电流达100pA，全触摸屏操作，支持四象限工作，因此能广泛的应用于各种电气特性测试中:半导体IC或元器件，功率器件，传感器，有机材料与纳米材料等特性测试和分析。半导体器件I-V特性参数SMU源表认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；

源表优点：

同时晶确提供和测量电压和/或电流；

  同步测量，减少测试时间

提供和测量非常广的电流和电压；

  电压测试范围30uV-300V,电流测试范围SXXB系列：30pA-3A、P系列：1A-10A

支持运行用户脚本程序，无需电脑控制，提高生产测试速度；

  序列测试，简化操作，降低成本

采用用户熟悉的图形界面，不管用户经验是否丰富，使用起来都非常简便；

  触屏操作

 
与传统电源比：

电源过零需要改变线连接方式；

  增加需反复开关机械开关，降低了设备可靠性

电压电流限制精度有限；

  电压1%，电流10mA

与电源结合万用表组合比：

万用表电源组合需要编程实现设备控制及同步；

  复杂连线、编程开发

电源限压限流性能差

  限压限流精度低，瞬态特性也无法保证

集五台仪器的功能于一体

1. 电压源

2. 电流源

3. 电压表

4. 电流表

5. 电子负载

武汉普赛斯数字源表应用领域

分立器件特性测试：电阻、二极管、发光二极管、齐纳二极管、PIN二极管、BJT三极管、MOSFET、SiC、GaN等器件；
能量与效率特性测试：LED/AMOLED、太阳能、电池、DC/DC转换器；
传感器特性测试：电阻率、霍尔效应等；
有机材料特性测试：电子墨水、印刷电子技术等；
纳米材料特性测试：石墨烯、纳米线等；
激光器特性测试：窄脉冲LIV测试系统；
功率器件：静态测试系统；
电流传感器：动静态参数测试系统；

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