VCSEL封装倒装陶瓷基座热沉

980 nm VCSEL 在数据通信领域尤为重要，尤 其是对于波分复用( Wavelength division multiple- xing，WDM) 和自由空间光通信方面［67］。980 nm高速 VCSEL 通常采用应变 InGaAs/GaAs QWs 作 为有源区。与 850 nm VCSEL 相比，980 nm VC- SEL 通常具有更深的 QW，即有 In 组分可以抑制 非平衡载流子的逸出并因此提高温度稳定性。在 980 nm 发射的 InGaAs QW 具有更大的微分增益和更低的透明载流子密度，有望实现更高的转换效率、更高的调制带宽、更低的阈值电流和更高的可靠性。由于较小的能带带隙，980 nm VCSEL 的工作电压较低，这对于低压互补金属氧化物半导 体驱动器是很重要的。

随着 VCSEL 应用的市场需求日益多样化，许 多应用领域需要 VCSEL 器件在高温环境下工作。这就需要 VCSEL 具有稳定的高温性能，尤其是在 芯片级原子钟( Chip scale atomic clock，CSAC) 上的应用。CSAC 均采用 VCSEL 作为光源器件，需 要 VCSEL 产生激光的阈值电流低，可以在芯片物 理系统的高温环境( 80 ～ 90 ℃ ) 下稳定工作［79］。

VCSEL运行时会产生较大热量。一个是热量需要通过基板及时散发出去；其次VCSEL芯片功率密度很高，需要考虑芯片和基板热膨胀失配导致的应力问题。因此，实现散热快、热电分离及热膨胀系数匹配成为VCSEL元件封装基板选择的重要考量，陶瓷基板具备了高导热、高绝缘、高线路精准度、高表面平整度及热膨胀系数与芯片匹配等诸多特性，