西安长禾半导体技术有限公司（简称“长禾实验室”），位于中国西部科技创新高地——西安市高新技术产业开发区，是一家专注于功率半导体器件检测与验证的高新技术企业。
作为国家认可委员会（CNAS）正式认证的大功率器件测试服务中心，长禾实验室严格遵循国际标准，致力于为国内外客户提供一站式、专业测试服务。
功率模块静态参数测试（DC） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、IGBT、MOSFET、SCR、整流桥等功率； 试验能力：检测电压：7000V，检测电流：5000A 试验参数： 漏电参数：IR、ICBO、ICEO、IDSS、IDOFF、IDRM、 IRRM、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、 IGSSR； 击穿参数：BVCEO、BVCES、BVDSS、BVCBO、VDRM、 VRRM、BVR、BVZ、BVEBO、BVGSS； 导通参数：VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VGSTH、VGETH、VTM； 关断参数：VGSOFF 触发参数：IGT、VGT 保持参数：IH、IH+、IH- 锁定参数：IL、IL+、IL- 混合参数：RDSON、GFS |
开关特性测试（Switch） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测电压：4500V 检测电流：5000A 试验参数：开通/关断时间ton/toff、上升/下降时间tr/tf、开通/关断延迟时间td(on)/td(off)、开通/关断损耗Eon/Eoff、电流尖峰Ic-peak max、电压尖峰Vce-peak max、电压变化率dv/dt、电流变化率di/dt； |
反向恢复测试（Qrr） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：检测电压：4500V 检测电流：5000A 试验参数：反向恢复电荷Qrr、反向恢复电流Irm、反向恢复时间Trr、反向恢复电流变化率diF/dt、反向恢复损耗Erec； |
栅极电荷（Qg） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块；； 试验能力：检测电压：4500V 检测电流：5000A 试验参数：栅极电荷Qg、漏极电荷Qgs、源极电荷Qgd； |
短路耐量（SCSOA） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测电压：4500V 检测电流：10000A 试验参数：短路电流Isc、短路时间Tsc、短路能量Esc； |
结电容（Cg） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及模块； 试验能力：频率：0.1-1MHz、检测电压：1500V； 试验参数：输入电容Ciss、输出电容Coss、反向传输电容Cres； |
C-V曲线扫描 | 输入电容Ciss-V； 输出电容Coss-V； 反向传输电容Cres-V； |
栅极电阻（Rg） | 执行标准：MIL-STD-750，IEC60747、JB/T7626-2013、 GB/T 29332-2012； 试验对象：DIODE、MOSFET、IGBT、及SiC器件等分立器件及IGBT模块器件； 试验能力：检测电压：1500V； 试验参数：栅极等效电阻Rg |
冀公网安备13010402002588