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普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、高效率测量和分析。如果您对普赛斯功率半导体器件静态参数测试方案和国产化高精度源表感兴趣，欢迎随时联系我们！功率器件短路测试电源1000A大电流脉冲电流源认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；

技术指标
电流脉宽  50μs~500μs
脉冲电流上升沿时间   典型时间15us
输出脉冲电流      5 ~1000A量程，精度0.1%FS±1A
输出负载电压要求<12V@1000A
DUT电压测量    2独立通道
DUT电压测量   远端测量，峰值电压测量（取样点可配置）
DUT电压测量   0~0.3V量程，精度0.1%±0.3mV

DUT电压测量   0~3V量程，精度0.1%±3mV

DUT电压测量   0~18V量程，精度0.1%±8mV
电流脉冲输出间隔时间1秒
电流脉冲峰值功率<12kW
支持多设备并联输出超大电流，如3000A
支持输出极性反转
触发信号  支持trigin及trig out
通讯接口 RS232
输入电压 90~264VAC、50/60Hz
输入功率<750W
尺寸：长516x宽250x高160mm
 

应用领域

肖特基二极管

整流桥堆

IGBT器件

IGBT半桥模块

IPM模块



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