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DW01M电池保护IC内置N-MOSFET，旨在保护里离子电池/聚合物电池，防止因过充电、过放电和/或过电流而对单节里离子电池/聚合物电池供电系统(如手机)造成损坏或缩短使用寿命。

超小封装和较少的外部组件要求使其非常适合集成到电池组的有限空间中。准确的士50mV过充电检测电压确保充电安全且充分利用。非常低的待机电流在存储时从电池中消耗很少的电流。


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