详情描述

 FZ2000R33HE4 IGBT 模块技术规格 

制造商：Infineon Technologies（英飞凌） 

系列：HighPower 33HE4（第四代高压IGBT技术） 

 

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 1. 核心电气参数 

| 参数               | 规格                     |

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| 阻断电压 (V<sub>CES</sub>) | 3300V                      |

| 额定电流 (I<sub>C</sub>)  | 2000A (@25°C) / 1400A (@80°C) |

| 脉冲电流 (I<sub>CP</sub>) | 4000A (1ms)                |

| 集成二极管电流     | 2000A (Emcon4技术)          |

| 开关频率范围       | 500Hz-3kHz（优化区间）      |

 

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 2. 关键技术特性 

- 第四代HE4芯片技术 

  - 导通压降 (V<sub>CE(sat)</sub>)：1.55V @2000A（比HE3降低12%） 

  - 关断损耗 (E<sub>off</sub>)：220mJ @2000A/1800V 

- 创新封装设计 

  - 低电感布局（<7nH） 

  - 铜基板+Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>陶瓷绝缘层（耐压10kV） 

- 监测功能 

  - 可选配NTC温度传感器（B值3435K） 

 

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 3. 热管理数据 

| 热参数            | 数值            |

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| 结-壳热阻 (R<sub>th(j-c)</sub>) | 0.010K/W（单芯片） |

| 推荐散热器温度        | ≤90°C（持续运行）  |

| 冷却方式             | 强制水冷（ΔT<10K） |

 

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 4. 典型应用场景 

- 重型工业驱动 

  - 10MW+轧机主传动 

  - 大型压缩机变频系统 

- 能源基础设施 

  - 3.3kV光伏/风电集中式逆变器 

  - 储能系统PCS（1.5MW/模块） 

- 特种电源 

  - 粒子加速器磁体电源 

  - 电磁弹射能量转换 

 

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 5. 驱动设计指南 

- 栅极驱动要求 

  - 驱动电压：+15V/-5V（最 优开关特性） 

  - 栅极电阻：0.6Ω（硬开关）/1.5Ω（软开关） 

- 保护电路 

  - 必须配置： 

    - V<sub>CE</sub>退饱和检测（动作时间<2μs） 

    - 有源米勒钳位 

 

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 6. 竞品对比 

| 型号                | 优势方向               | 性能差异              |

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| FZ2000R33HE4       | 电流密度最 高          | 导通损耗最 低         |

| ABB 5SNA 2000N330300 | 轨道交通适用性      | 振动耐受性更强       |

| Mitsubishi CM2000HC-33H | 短路能力       | 抗短路能力达15μs    |

 

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 7. 可靠性验证 

- 加速老化测试 

  - 功率循环：30,000次（ΔT<sub>j</sub>=100K） 

  - HTGB测试：1000小时 @150°C/80%V<sub>CES</sub> 

- 认证标准 

  - UL认证（File E322831） 

  - IEC 60747-9 Ed.3.0 

 

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 8. 技术支持资源 

1. 仿真工具 

   - IPOSIM在线仿真平台（含损耗计算器） 

2. 参考设计  

   - 3.3kV三电平ANPC拓扑方案（RD-2023-HE4-01） 

 

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 9. 采购信息 

- 封装尺寸：140mm×130mm×38mm（含端子） 

- 重量：1200g 

- 供货状态：量产中（2025年Q3交期8周） 

 

询价单