气体传感器阐述

SnO2电阻型气敏器件通常采用烧结工艺。以多孔SnO2陶瓷为基底材料，再添加不同的其他物质，用制陶工艺烧结而成，烧结时埋入加热电阻丝和测量电极。此外，也有用蒸发和溅射等工艺制成的薄膜器件和多层膜器件，这类器件灵敏度高，动态特性好。

气体传感器规格

当加负向偏压时，载流子基本没有变化，这是肖特基二极管的整流特性。在检测气氛中，由于对氢气的吸附作用，贵金属的功函数改变，接触势垒减弱．导致载流子增多，正向电流增加，二极管的整流特性曲线会发生左移。下图右图为Pd—TiO2气敏二极管在不同浓度H2的空气中的特性曲线。因此，通过测量二极管的正向电流可以检测氢气浓度。

气体传感器种类

气敏二极管的特性曲线左移可以看作二极管导通电压发生改变，这一特性如果发生在场效应管的栅极，将使场效应管的阈值电压UT改变。利用这一原理可以制成MOSFET型气敏器件。

氢气敏MOSFET是一种典型的气敏器件，它用金属钯(Pd)制成钯栅。在含有氢气的气氛中，由于钯的催化作用，氢气分子分解成氢原子扩散到钯与二氧化硅的界面，终导致MOSFET的阈值电压UT发生变化。使用时常将栅漏短接，可以保证MOSFET工作在饱和区，此时的漏极电流ID=β(UGS—UT)2，利用这一电路可以测出氢气的浓度。