气体传感器规格

按质量计算，在SnO2中加入3～5％的ThO2，5％的Sm2．在600℃的H2气氛中烧结，制成厚膜器件，工作温度为400℃。则可作为CO检测器件。上图右图是烧结温度为600℃时气敏器件的特性。可看出，工作温度在170～200℃范围内，对H2的灵敏度曲线呈抛物线，而对CO改变工作温度则影响不大，因此，利用器件这一特性可以检测H2。而烧结温度为400℃制成的器件，工作温度为200℃时，对H2、CO的灵敏度曲线形状都近似呈直线，但对CO的灵敏度要高得多，可以制成对CO敏感的气体传感器。

气体传感器描述

非电阻型也是一类较为常见的半导体气敏器件，这类器件使用方便，无需设置工作温度，易于集成化，得到了广泛应用。主要有结型和MOSFET型两种。

结型气敏传感器件又称气敏二极管，这类气敏器件是利用气体改变二极管的整流特性来工作的。其结构如下图左图所示。它的原理是：贵金属Pd对氢气具有选择性，它与半导体接触形成接触势垒。当二极管加正向偏压时，从半导体流向金属的电子将增加，因此正向是导通的。

气体传感器定做

气敏二极管的特性曲线左移可以看作二极管导通电压发生改变，这一特性如果发生在场效应管的栅极，将使场效应管的阈值电压UT改变。利用这一原理可以制成MOSFET型气敏器件。

氢气敏MOSFET是一种典型的气敏器件，它用金属钯(Pd)制成钯栅。在含有氢气的气氛中，由于钯的催化作用，氢气分子分解成氢原子扩散到钯与二氧化硅的界面，终导致MOSFET的阈值电压UT发生变化。使用时常将栅漏短接，可以保证MOSFET工作在饱和区，此时的漏极电流ID=β(UGS—UT)2，利用这一电路可以测出氢气的浓度。