气体传感器规格

4、稳定性

实际应用中，存在UT随时间漂移的特性，为此，采用在HCl气氛中生长一层SiO2绝缘层，可以显著改善UT的漂移。

除氢气外，其他气体不能通过钯栅，制作其他气体的Pd—MOSFET气敏传感器要采用一定措施，如制作CO敏MOSFET时要在钯栅上制作约20nm的小孔，就可以允许CO气体通过。另外，由于Pd—MOSFET对氢气有较高的灵敏度，而对CO的灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层，阻止氢气通过。钯对氨气分解反应的催化作用较弱，为此，要先在SiO2绝缘层上沉淀一层活性金属，如Pt、Ir、La等。再制作钯栅，可制成氨气敏MOSFET。

气体传感器描述

同体电解质在高温下才会有明显的导电性。氧化锆(ZrO2)是典型的气体传感器的材料。纯正的氧化锆在常温下是单斜晶结构，当温度升到1000℃左右时就会发生同质异晶转变，由单斜晶结构变为多晶结构，并伴随体积收缩和吸热反应，因此是不稳定结构。在ZrO2中掺入稳定剂如：碱土氧化钙CaO或稀土氧化钇Y2O3，使其成为稳定的荧石立方晶体，稳定程度与稳定剂的浓度有关。

气体传感器类型

可见，在一定温度下，固定PO2(1)，有上式可求出传感器( )极待测氧气的浓度。除了测氧外，应用β一Al2O3、碳酸盐、NASICON等固体电解质传感器，还可用来测CO、SO2、NH4等气体。近年来还出现了锑酸、La3F等可在低温下使用的气体传感器，并可用于检测正离子。