气体传感器规格

4、稳定性

实际应用中，存在UT随时间漂移的特性，为此，采用在HCl气氛中生长一层SiO2绝缘层，可以显著改善UT的漂移。

除氢气外，其他气体不能通过钯栅，制作其他气体的Pd—MOSFET气敏传感器要采用一定措施，如制作CO敏MOSFET时要在钯栅上制作约20nm的小孔，就可以允许CO气体通过。另外，由于Pd—MOSFET对氢气有较高的灵敏度，而对CO的灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层，阻止氢气通过。钯对氨气分解反应的催化作用较弱，为此，要先在SiO2绝缘层上沉淀一层活性金属，如Pt、Ir、La等。再制作钯栅，可制成氨气敏MOSFET。

气体传感器种类

固定PO2(1)实际上是(-)极形成一个电位固定的电极，即参比电极，有气体参比电极和共存相参比电极两种。气体参比电极可以是空气或其他混合气体，如：H2一H2O，CO一CO2也能形成固定的PO2(1)。共存相参比电极是指金属-金属氧化物、低价金属氧化物-高价金属氧化物的混合粉末(固相)，这些混合物与氧气(气相)混合发生氧化反应能形成同定的氧压，因此也能作为参比电极。

气体传感器样式

可见，在一定温度下，固定PO2(1)，有上式可求出传感器( )极待测氧气的浓度。除了测氧外，应用β一Al2O3、碳酸盐、NASICON等固体电解质传感器，还可用来测CO、SO2、NH4等气体。近年来还出现了锑酸、La3F等可在低温下使用的气体传感器，并可用于检测正离子。