气体传感器介绍

4、稳定性

实际应用中，存在UT随时间漂移的特性，为此，采用在HCl气氛中生长一层SiO2绝缘层，可以显著改善UT的漂移。

除氢气外，其他气体不能通过钯栅，制作其他气体的Pd—MOSFET气敏传感器要采用一定措施，如制作CO敏MOSFET时要在钯栅上制作约20nm的小孔，就可以允许CO气体通过。另外，由于Pd—MOSFET对氢气有较高的灵敏度，而对CO的灵敏度却较低，为此可在钯栅上蒸发一层厚约20nm的铝作保护层，阻止氢气通过。钯对氨气分解反应的催化作用较弱，为此，要先在SiO2绝缘层上沉淀一层活性金属，如Pt、Ir、La等。再制作钯栅，可制成氨气敏MOSFET。

气体传感器说明

固体电解质是一种具有与电解质水溶液相同的离子导电特性的固态物质，当用作气体传感器时，它是一种电池。它无需使气体经过透气膜溶于电解液中，可以避免溶液蒸发和电极消耗等问题。由于这种传感器电导率高，灵敏度和选择性好，几乎在石化、环保、矿业、食品等各个领域都得到了广泛的应用，其重要性仅次子金属—氧化物一半导体气体传感器。

气体传感器描述

同体电解质在高温下才会有明显的导电性。氧化锆(ZrO2)是典型的气体传感器的材料。纯正的氧化锆在常温下是单斜晶结构，当温度升到1000℃左右时就会发生同质异晶转变，由单斜晶结构变为多晶结构，并伴随体积收缩和吸热反应，因此是不稳定结构。在ZrO2中掺入稳定剂如：碱土氧化钙CaO或稀土氧化钇Y2O3，使其成为稳定的荧石立方晶体，稳定程度与稳定剂的浓度有关。