HMDS专用烘箱 HMDS真空涂胶系统 小型HMDS烤箱

HMDS专用烘箱  HMDS真空涂胶系统 小型HMDS烤箱性能：

涂布方式：气相沉积

使用温度：RT+50-200℃

真空度：≤1torr

设备材质：内箱采用316L不锈钢

运行方式：一键运行，自动完成工艺处理，并有结束提示音

尺寸大小：450*450*450mm

兼容性：2-12寸晶圆及方片等

储液瓶：HMDS储液量1000ml 

真空泵：进口干式真空泵

数据处理：多个工艺配方存储，使用数据记录

保护装置：低液位报警，HMDS泄漏报警，超温保护并断开加热，漏电保护等

HMDS专用烘箱  HMDS真空涂胶系统 小型HMDS烤箱适用行业

MEMS、滤波、放大、功率等器件，晶圆、玻璃、贵金属，SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)、ZnO（氧化锌）ZnS（硫化锌）、GaO（氧化镓）、金刚石等第三代半导体材料。

SiC碳化硅（HMDS预处理系统）是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。

碳化硅原材料核心优势体现在：

（1）耐高压：更低的阻抗、更宽的禁带宽度，能承受更大的电流和电压，带来更小尺寸的产品设计和更高的效率；

（2）耐高频：SiC器件在关断过程中不存在电流拖尾现象，能有效提高元件的开关速度（大约是Si的3-10倍），适用于更高频率和更快的开关速度；

（3）耐高温：SiC相较硅拥有更高的热导率，能在更高温度下工作。

    相比传统的硅材料（Si），碳化硅（SiC）的禁带宽度是硅的3倍；导热率为硅的4-5倍；击穿电压为硅的8-10倍；电子饱和漂移速率为硅的2-3倍。

碳化硅晶片应用于肖特基二极管、 MOSFET、IGBT等，主要用于电动汽车、光伏发电、轨道交通、数据中心、充电等基础建设，主要用于5G通信、车载通信、应用、数据传输、航空航天。