霍尔效应测试系统 半导体材料电学特性研究

DX-Hall-06 霍尔效应测试系统

可测试的样品:

1. 半导体材料：SiGe, SiC, InAs, InGaAs, InP, AlGaAs, HgCdTe和铁氧体材料等

2. 低阻抗材料：石墨烯、金属、透明氧化物、弱磁性半导体材料、TMR材料等

3. 高阻抗材料：半绝缘的GaAs, GaN, CdTe等

霍尔系统的组成:

系统由：电磁铁、高精度电源、连接电缆、高精度恒流源、高精度电压表、高斯计、标准样品、样品安装架、系统软件。为本仪器系统专门研制的DX-320效应仪将恒流源，六位半微伏表及霍耳测量复杂的切换继电器——开关组装成一体，大大减化了实验的连线与操作。DX-320可单独做恒流源、微伏表使用。用于测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数，而这些参数是了解半导体材料电学特性必须预先掌控的，因此霍尔效应测试系统是理解和研究半导体器件和半导体材料电学特性必备的工具。实验结果由软件自动计算得到，可同时得到体载流子浓度(Bulk Carrier Concentration)、表面载流子浓度(Sheet Carrier Concentration)、迁移率(Mobility)、电阻率(Resistivity)、霍尔系数(Hall Coefficient)、磁致电阻(Magnetoresistance)等等。

主要参数：

1. 磁场强度：大于7000高斯（DX-50），大于14000高斯（DX-100），气隙15mm

2. 电流：0.1mA-50mA（可扩展到1A）

3. 测量电压：0.1uV-3V

4. 所提供的标样材料：GaAs， Si等

5. 磁场zui小分辨率：0.01mT

6. 磁场测量范围：0-3T

7. 电阻范围：10mΩ-1MΩ

8. 载流子浓度：10³-10²²cm^-3

9. 迁移率：0.1-10⁸cm²/volt*sec

10. 系统测量误差：＜2%

11. 用高斯计或数据采集板计算机通信

12. I-V曲线和I-R曲线测试

13. 电阻率范围：10^-5-10⁷ohm*cm

14. 电阻范围：10mΩ-1MΩ

15. 载流子浓度：10³-10²²cm^-3

16. 迁移率：10²-10⁷cm²/volt*sec

17. 全自动测试，一件处理

关于我们

厦门盈德兴磁电科技有限公司成立于2008年，位于中国美丽的鹭岛福建厦门市，也是一个国际海港。盈德兴磁电是一家在国际磁性测量行业拥有完善服务的高科技企业。公司拥有一批经验丰富的磁性测量行业技术人员，并与国内外大学和研究所合作，可以为全球客户提供精密的测量设备系统和良好的售后服务。

公司开发的主要设备和测量系统: 数字特斯拉计/高斯计、磁通计、磁通门计、亥姆霍兹线圈、电磁铁、核磁共振永磁体、精密电流源、锁相放大器、弱磁屏蔽系统、交直流磁场控制系统、新能源表磁测量系统、多维磁场测试系统、永磁材料测量系统、振动样品磁强计等。

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