P系列源表IV扫描忆阻器脉冲特性

忆阻器基础性能研究测试

    忆阻器件的评估,一般包括直流特性、脉冲特性与交流特性测试,分析器件在相应的直流、脉冲与交流作用下的忆阻特性,以及针对忆阻器件的保持力、稳定性等非电学特性进行测量。

忆阻器基础性能测试解决方案

    整套测试系统基于普赛斯S/P/CP系列高精度数字源表(SMU),配合探针台、低频信号发生器、示波器以及Z用上位机软件等,可用于忆阻器基本参数测试、中速脉冲性能测试、交流特性测试,适用于新材料体系及特殊网络物理机制等研究。

    普赛斯高精度数字源表(SMU)在半导体特性测量和表征中,具有J其重要的作用。它具有比普通的电流表、电压表更高的精度,在对微弱电压、小电流信号的测试中具有J高的灵敏度。此外,随着测量过程中对灵敏度、速度、远端电压检测和四象限输出的要求不断提高,传统的可编程电源难以胜任。普赛斯S/P/CP系列高精度数字源表(SMU)用于忆阻器作为激励源产生电压或电流扫描测试信号,并实时测试样品对应的电流或电压反馈值,结合Z用测试软件,可以实时输出直流或者脉冲l-V特性曲线。

P系列源表IV扫描忆阻器脉冲特性认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；武汉普赛斯一直专注于功率器件、射频器件、忆阻器以及第三代半导体领域电性能测试仪表与系统开发,基于核心算法和系统继承等技术平台优势,率先自主研发了高精度数字源表、脉冲式源表、脉冲大电流源、高速数据采集卡、脉冲恒压源等仪表产品,以及整套测试系统。产品广泛应用在各种前沿材料与器件的科研测试中。普赛斯提供多种不同的配置方案,满足不同的客户需求。