一、描述
这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。
这种先进的技术是专门定制的,以zui小化对态电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用,如DC/DC转换器和便携式和电池操作产品的电源管理的开关。
二、特性
4.0A, 650V, RDS(on) = 3.0?@vgs = 10 v
低栅电荷(典型15nC)
高强度
快速切换
提高dv/dt能力
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产品价格¥9.00元/件
产品品牌迅瑞创芯
最小起订≥1 件
供货总量9999 件
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更新日期2022-11-18 14:50
起订: |
≥1 件 |
供货总量: |
9999 件 |
有效期至: |
长期有效 |
产品品牌: |
迅瑞 |
产品型号: |
SI4N65 |
产品封装: |
T0-220F |
产品特性: |
NMOS |
耐压: |
650V |
电流: |
4A |
功率: |
104W |
一、描述
这种功率MOSFET是使用SL semi的先进平面条纹DMOS技术生产的。
这种先进的技术是专门定制的,以zui小化对态电阻,提供优越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用,如DC/DC转换器和便携式和电池操作产品的电源管理的开关。
二、特性
4.0A, 650V, RDS(on) = 3.0?@vgs = 10 v
低栅电荷(典型15nC)
高强度
快速切换
提高dv/dt能力
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