一、描述
SI4614采用先进的沟槽技术提供优良的RDS(ON)和低栅电荷。互补的mosfet可用于形成电平移位的高侧开关,并用于许多其他应用。
二、一般特征
1.N-Channel
VDS = 40V,ID =8.0A
RDS(ON) < 22m? @ VGS=10V
RDS(ON) < 31m? @ VGS=4.5V
2.P-Channel
VDS = -40V,ID = -7.0A
RDS(ON) < 35m? @ VGS=-10V
RDS(ON) < 48m? @ VGS=-4.5V
3.高功率和电流处理能力
4.获得无铅产品
5.表面安装包