半导体分立器件是组成集成电路的基础,包含大量的双端口或三端口器件,如二极管,晶体管,场效应管等。 直流I-V测试是表征微电子器件工艺及材料特性的基础,通常使用I-V特性分析或I-V曲线来决定器件的基本参数。
分立器件I-V特性测试的主要目的是通过实验帮助工程师提取半导体器件的基本I-V特性参数,并在整个工艺流程结束后评估器件的优劣。在半导体制程的多个阶段都有应用,如金属互连,镀层阶段,芯片封装后的测试等。
高精密源表IV扫描二三极管电性能认准生产厂家武汉普赛斯仪表,详询一八一四零六六三四七六;普赛斯仪表开发的半导体分立器件I-V特性测试方案,由一台或两台源精密源测量单元(SMU)、夹具或探针台、上位机软件构成。以三端口MOSFET场效应管为例,配套以下设备
一、S型高精密源表测试二极管需要几台源表?搭建方案示意图?
①、如果客户二极管Z高测试电压低于300V,使用一台源表即可;
②、如果客户二极管Z高测试电压高于300V,则需要使用高压程控电源(需向第三方购买)、过压保护模块(我司已研发)、直流源表进行该测试;
二、 S型高精密源表测试三极管或者MOS管需要几台源表?搭建方案示意图?
①、三极管测试时一台加在基极与发射极之间,一台加在集电极与发射极之间;MOS管测试时一台加在栅极与源极之间,一台加在漏极与源极之间;需要使用两台直流源表同步触发使用,或使用插卡式直流源表;
②、三极管的基极及MOS管的栅极一般耐压值较低于30V,基于Z高性价比考虑,其中一台使用S100即可,另一台根据三极管的集电极或MOS管的漏极耐压而定;
普赛斯高精密源表特点
5寸800*480触摸显示屏,全图形化操作
内置强大的功能软件,加速用户完成测试,如LIV、PIV
源及测量的准确度为0.1%,分辨率5位半
四象限工作(源和肼),源及测量范围:电流100pA~1A,电压0.3mV~300V
丰富的扫描模式,支持线性扫描、指数扫描及用户自定义扫描
支持USB存储,一键导出测试报告
支持多种通讯方式,RS-232、GPIB及以太网