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包含Ti0:层的对照样品只能吸收UV光。当设备在100 W/cm2的太阳模拟器照射下操作时，输出电压直接从8V降低到约SV。当模拟器的开关关闭时，输出电压迅速恢复到8V。该光电探测器的机理主要是由于光诱导的表面电荷密度变化。这项工作说明了通过改变关键参数一表面电荷密度，结合TENG作为光电探测器的新机制。尽管钙钦矿材料具有优异的光敏和宽带光吸收，但其半导体特对于在其表面上保持高电荷密度是不利的。为了解决这个问题，Su等人，设计了一种基于错钦酸铅(PZT)薄膜的自供电紫外光电探测器。器件上部采用铜薄膜作为层和顶部电极，底部采用透明氟掺杂的氧化锡(FTO)作为底部电极薄膜同时作为UV光敏材料和层材料。观察到所测量的导电率在有照度时是没有照射的9倍，这导致表面电荷的泄漏。因此，一旦暴露在紫外光下，器件的短路电流明显下降。

    在物联网时代，需要核心光电传感系统部件数量众多。分布广泛的光电探测器基本上依靠外部电源的供应，这样电源的寿命以及更换带来的污染问题不得不值得我们寻找解决的方

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