产品价格￥1000.00元/台
产品品牌普赛斯仪表
最小起订≥1 台
供货总量10000 台
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更新日期2026-09-14 10:05
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| 起订： | ≥1 台 |
| 供货总量： | 10000 台 |
| 有效期至： | 长期有效 |
| 最大输出功率： | 350W,3500V/100mA（不同型号有差异） |
| 输出电压建立时间： | 典型时间15uS |
| 输出接口： | E100:三同轴BNC；E200/E300:KHV(三同轴),支持四线测量 |
| 精度： | 0.10% |
| 扫描： | 支持线性、对数及用户自定义扫描 |
| 通信接口： | RS232、以太网 |
| 电流测试范围： | 1nA~100mA |
| 电压测试范围： | 100mV~3500V |
普赛斯仪表专业研究和开发半导体材料与器件测试的专业智能装备，产品覆盖半导体领域从晶圆到器件生产全产业链。推出基于高精度数字源表(SMU）的第三代半导体功率器件静态参数测试方案，为SiC和GaN器件提供可靠的测试手段，实现功率半导体器件静态参数的高精度、G效率测量和分析。二极管反向击穿电压测试高压电源认准普赛斯仪表，详询一八一四零六六三四七六；
应用领域：
用于IGBT击穿电压测试,IGBT动态测试母线电容充电电源、IGBT老化电源,防雷二极管耐压测试,压敏电阻耐压测试等场合。其恒流模式对于快速测量击穿点具有重大意义。
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