宽禁带器件测试高电压大电流源

GaN   HEMT器件性能的评估，一般包含静态参数测试（I-V测试）、频率特性（小信号S参数测试）、功率特性（Load-Pull测试）。静态参数，也被称作直流参数，是用来评估半导体器件性能的基础测试，也是器件使用的重要依据。以阈值电压Vgs（th）为例，其值的大小对研发人员设计器件的驱动电路具有重要的指导意义。 

静态测试方法，一般是在器件对应的端子上加载电压或者电流，并测试其对应参数。与Si基器件不同的是，GaN器件的栅极阈值电压较低，甚至要加载负压。常见的静态测试参数有：阈值电压、击穿电压、漏电流、导通电阻、跨导、电流坍塌效应测试等。 

基于高性能数字源表SMU的氮化镓器件表征设备推荐

SMU，即源测量单元，是一种用于半导体材料，以及器件测试高性能仪表。与传统的万用表，以及电流源相比，SMU集电压源、电流源、电压表、电流表以及电子负载等多种功能于一体。此外，SMU还具有多量程，四象限，二线制/四线制测试等多种特性。一直以来，SMU在半导体测试行业研发设计，生产流程得到了广泛应用。同样，对于氮化镓的测试，高性能SMU产品也是不可少的工具。

武汉普赛斯仪表有限公司是，是一家专注于半导体的电性能测试仪表的开发、生产与销售的研发型高新技术企业。公司以源表为核心产品，专注于第三代半导体测试，提供从材料、晶圆、器件的全系列解决方案。

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